字据功能性及使用的主要存储芯片类型不同，半导体存储器分为易失性存储芯片（简称RAM）和非易失性存储芯片（简称ROM），RAM的巨额存储为DRAM，便是常说的内存情欲湿度，ROM的巨额存储为NAND Flash ，便是常说的固态硬盘（或U盘）。当今存储芯片市集主要以DRAM 和NAND Flash 为主，其中，DRAM 市集限制最大，占比约为55.9%，NAND Flash 占比约为44.0%。跟着AI的大限制普及，受到大模子时期的高算力、大存储的实践需求鼓舞，将GPU及存储需求马上进步。其中DRAM最新技巧为HBM，凯旋翻译即是高带宽内存，被称为GPU最强赞成，当今该技巧被好意思国严格禁闭。NAND还需要数据存储主控芯片，风雅调配存储芯片的存储空间与速率，在存储器中与存储芯片搭配使用。（评：中枢居品为存储介质和主控芯片、采集芯片）存储行业市集限制超千亿，是半导体产业的第二大细分市集，占半导体市集份额约莫25%操纵，其周期性与大家半导体举座周期性走势一致。DRAM的市集增长需求主要来自手机、PC和做事器，更多是跟着AI算力的增长而增长；NAND Flash市集需求增长，主要来自于智妙手机、平板电脑、固态硬盘等破费电子居品的普及和升级换代，非凡是在新能源汽车、物联网等新兴鸿沟。HBM大家供应商主要来自韩国（SK 海力士、三星）和好意思国（好意思光），当今国内受制于DRAM和先进封装量产工艺，仍处于积极研发景况，尚无大限制量产居品，HBM分娩需同期具备DRAM分娩和先进封装工艺的产业化智商。存储芯片行业正往日所未有的速率发展，尽管厂商边远，但市集主要份额仍被三星、SK海力士、好意思光科技几家巨头占据95%以上份额。（评：投资存储半导体的中枢逻辑是国产替代）笼统来看，两家中枢的公司未上市。兆易翻新和北京君正两家公司行业竞争热烈，中枢投资逻辑是大鱼吃小鱼，以及国产化替代，另外不错心理兆易翻新的MCU和北京君正的计较芯片是否有爆款居品。现时市值仍是挺高了，应该透支了不少长久事迹，相宜作念见识题材，作念长久投资办法风险相对较大。澜起科技和江波龙，竞争态势相对明确，在行业内有较强的竞争力，然而濒临行业营收天花板，需要看能否开辟第二增长弧线。总之，存储半导体行业投资难度很大，需要掌抓更多的专科常识可能才气理顺逻辑。居品分类及愚弄：按照居品分类，DRAM 主要分为 DDR、LPDDR、GDDR 及新式存储 HBM。DDR（Double Data Rate）：即双倍速率同步动态立时存取内存，适用于计较机、做事器和其他高性能计较设备等鸿沟，当今愚弄平素的是 DDR3、DDR4 和 DDR5。LPDDR（Low Power Double Data Rate）：即低功耗双倍数据速率内存，相宜移动设备和镶嵌式系统等需要万古候使用的场景，比如手机、平板电脑，当今愚弄平素的是 LPDDR4、LPDDR5。GDDR（Graphics Double Data Rate）：是在 DDR 的基础上多了 G（Graphics）前缀，专为需要极高笼统量的数据密集型愚弄设施想象的高性能存储器，主要愚弄在显卡鸿沟。HBM（High Bandwidth Memory）：也属于 DRAM 的一种。HBM 在带宽、功耗、封装体积方面具备彰着上风，非凡适用于高性能计较、图形处理和数据中心等鸿沟，以骄气对内存带宽和容量的高需求。字据技巧类型分手，NAND Flash主要分为如 SLC、MLC、TLC 和 QLC，字据其数据密度、经久性和本钱效益的不同而有所不同。SLC NAND Flash： 是本钱最高但亦然最耐用的 NAND Flash 存储器类型，延续用于需要高性能和数据无缺性的企业级愚弄，如工业自动化、医疗设备和航空系统。MLC NAND Flash：每个存储单位存储多个的信息，延续是两个位元。这加多存储密度并缩短了与 SLC NAND 比拟的本钱，适用于破费级 SSD、数码相机和便携式媒体播放器等居品。TLC NAND Flash： 进一步加多存储密度，每个存储单位存储三位信息。TLC NAND 的本钱以至低于 MLC NAND，使其成为破费电子居品和主流 SSD 的有招引力袭取。QLC NAND Flash：是 NAND Flash 技巧的最新发扬，提供了最高的存储密度和本钱效益。延续用于初学级破费者固态硬盘和大容量存储愚弄中。国内参与企业：长江存储：（未上市）长江存储专注于3D NAND闪存晶圆及颗粒。晶栈是长江存储中枢技巧品牌，该项技巧鼓舞公司的3D NAND闪存从64层闪存粗心到128层，再快速发展到232层水平，并与三星、好意思光等外洋巨头站在了同扫数跑线上。2022年10月受好意思国制裁，其居品当今以128层闪存为主。传奇2024年，长江存储仍是结束了国产半导体设备的奏效替代。最新报说念宣称，长江存储与韩企的差距也减弱至一年以内。长鑫存储：（未上市）长鑫存储专注于DRAM晶圆及颗粒。字据统计，2024年第一季度，长鑫存储在大家DRAM内存市集的份额已达10.1%，位列大家第四位。此外，长鑫存储的两条HBM产线正在开发中，母公司睿力集成霸术投资24亿好意思元在上海建一座高端封装工场，专注于HBM芯片的封装，瞻望将于2026年中运行干与分娩。制程方面，DRAM仍是发展到10nm-20nm，好意思国退却出口18nm及以下的设备和技巧，试图将DRAM制造工艺锁定在18nm，但据报说念长鑫存储仍是运行批量分娩18.5nm工艺的DRAM芯片。长鑫存储的居品线涵盖了LPDDR5、DDR4等主流DRAM居品。最新报说念宣称，长鑫存储与三星电子在DRAM技巧上的差距已减弱至1.5年以下。兆易翻新：兆易翻新主要业务为存储器、微摈弃器等，公司存储居品主要有NOR Flash、SLC 2D NAND和利基型DRAM，袖珍摈弃器居品主要为32位通用MCU居品。国内MCU在家电和破费电子愚弄鸿沟的竞争相称热烈，在汽车MCU市集，8位和32位是主流，8位具有超低本钱和想象通俗等上风，主要用于汽车电扇、雨刷天窗等。32位可用的汽车场景包括汽车能源系统、智能座舱、车身摈弃，32位的车用MCU将成市集需求主流。在工艺制程上，当今公司 MCU 居品隐敝 110nm、55nm、40nm、22nm 工艺制程，在行业处于逾越地位。北京君正：北京君正的主要业务为计较芯片、存储芯片等，其入网算芯片现存居品选择了MIPS架构，当今正在研发RISC-V架构芯片，存储芯片分为SRAM、DRAM和Flash三大类别，用于专科鸿沟，非大存储类晶圆及颗粒，这部分和兆易翻新可能访佛。已推出21nm的芯片量产，同期伸开了20nm工艺的DRAM居品研发。澜起科技：澜起科技的居品内存接口及模组配套芯片、PCIe Retimer芯片等。大家DRAM行业市集90%以上的市集份额由三星电子、海力士及好意思光科技占据，他们亦然公司内存接口芯片及内存模组配套芯片主要的下旅客户。在DDR5世代，做事器内存模组上除了需要内存接口芯片除外情欲湿度，同期还需要成立三种配套芯片，包括一颗SPD芯片、一颗PMIC芯片和两颗TS芯片；普通台式机、条记本电脑的内存模组UDIMM、SODIMM上，需要成立两种配套芯片，包括一颗SPD芯片和一颗PMIC芯片。当今DDR5内存接口芯片的竞争步地与DDR4世代访佛，大家有三家主流供应商可提供干系居品，分别是澜起科技、瑞萨电子和Rambus。对于DDR5内存模组配套芯片，SPD和TS主要的两家供应商是澜起科技和瑞萨电子，PMIC的竞争敌手更多，竞争态势更复杂。江波龙：江波龙主要以存储颗粒为原材料进行存储模组居品的开发，居品包括镶嵌式存储、固态硬盘(SSD)、内存条及移动存储(U 盘、存储卡)。为了给中枢大客户提供更踏实高效的存储定制化贬责有筹算做事，江波龙协同相助的上游存储晶原厂共同开展从传统相助模式向TCM（Technologies Contract Manufacture， 技碰劲约制造）相助模式的转型升级。粗略是由传统厂商向存储品牌企业转型，以粗心传统存储器厂商营收天花板。